ON SEMICONDUCTOR 2N6667G 达林顿双极晶体管
PNP 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220
立创商城:
2N6667G
欧时:
### PNP 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
贸泽:
Darlington Transistors 10A 60V Bipolar Power PNP
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 2 W, -10 A, 100 hFE
艾睿:
Trans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
ON Semi 2N6667G PNP Darlington Transistor 60 V HFE:1000; 3-Pin TO-220AB
安富利:
Trans Darlington PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB
Verical:
Trans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 2N6667G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, 60 V, 2 W, -10 A, 20 hFE
罗切斯特:
Trans Darlington PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Win Source:
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 1000
最大电流放大倍数hFE 20000
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 65 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6667G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6667 安森美 | 类似代替 | 2N6667G和2N6667的区别 |