2N5210BU

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2N5210BU概述

NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a NPN Bipolar Transistor designed for low noise, high gain and general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50mA.

.
-55 to 150°C Operating junction temperature range

得捷:
TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


富昌:
2N5210 系列 50 V CE 击穿 0.1 A NPN 通用 放大器 - TO-92


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5210BU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 30 MHz, 625 mW, 100 mA, 200 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


2N5210BU中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 30 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5210BU
型号: 2N5210BU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号2N5210BU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5210BU

Fairchild 飞兆/仙童

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当前型号

2N5210TA

飞兆/仙童

完全替代

2N5210BU和2N5210TA的区别

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飞兆/仙童

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