ON SEMICONDUCTOR 2N3055G 双极晶体管
NPN 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 60V 15A TO204
欧时:
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
立创商城:
2N3055G
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 15A 60V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; Si; NPN; Power; VCEO 60VDC; IC 15A; PD 115W; TO-204AA TO-3
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
富昌:
2N Series NPN 115 W 60 V 15 A Flange Mount Power Transistor - TO-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Win Source:
TRANS NPN 60V 15A TO3
频率 2.5 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 15.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 115 W
增益频宽积 2.5 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
热阻 1.52℃/W RθJC
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 70
额定功率Max 115 W
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 115 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N3055G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N3055AG 安森美 | 类似代替 | 2N3055G和2N3055AG的区别 |
2N3055 安森美 | 类似代替 | 2N3055G和2N3055的区别 |