2N3055G

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2N3055G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N3055G  双极晶体管

NPN 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 60V 15A TO204


欧时:
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


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2N3055G


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 15A 60V


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Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; Si; NPN; Power; VCEO 60VDC; IC 15A; PD 115W; TO-204AA TO-3


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Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray


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2N Series NPN 115 W 60 V 15 A Flange Mount Power Transistor - TO-3


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Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


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Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3


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Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Win Source:
TRANS NPN 60V 15A TO3


2N3055G中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 15.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 115 W

增益频宽积 2.5 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 1.52℃/W RθJC

集电极最大允许电流 15A

最小电流放大倍数hFE 20

最大电流放大倍数hFE 70

额定功率Max 115 W

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 115 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2N3055G引脚图与封装图
2N3055G引脚图
2N3055G封装图
2N3055G封装焊盘图
在线购买2N3055G
型号: 2N3055G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N3055G  双极晶体管
替代型号2N3055G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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