2SB1188T100Q

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2SB1188T100Q概述

ROHM  2SB1188T100Q  单晶体管 双极, PNP, -32 V, 100 MHz, 500 mW, -2 A, 82 hFE

- 双极 BJT - 单 PNP 32 V 2 A 100MHz 2 W 表面贴装型 MPT3


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TRANS PNP 32V 2A MPT3


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PNP 32V 2A


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单晶体管 双极, PNP, -32 V, 100 MHz, 500 mW, -2 A, 82 hFE


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# ROHM  2SB1188T100Q  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 500 mW, -2 A, 82 hFE


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TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89


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TRANS PNP 32V 2A SO-89


2SB1188T100Q中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -2.00 A

额定功率 2 W

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 82

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.50 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.50 mm

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SB1188T100Q
型号: 2SB1188T100Q
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  2SB1188T100Q  单晶体管 双极, PNP, -32 V, 100 MHz, 500 mW, -2 A, 82 hFE

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