ON SEMICONDUCTOR 2N5657G 单晶体管 双极, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 5 hFE 新
- 双极 BJT - 单 NPN 10MHz 通孔 TO-225AA
得捷:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
立创商城:
NPN 350V 500mA
e络盟:
射频双极晶体管
艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
安富利:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225 Box
Verical:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 2N5657G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 10 hFE
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk
频率 10 MHz
额定电压DC 250 V
额定电流 3.70 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 30 @100mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 20 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 20000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-225-3
宽度 2.66 mm
封装 TO-225-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N5657G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BD682G 安森美 | 类似代替 | 2N5657G和BD682G的区别 |
TIP32CG 安森美 | 功能相似 | 2N5657G和TIP32CG的区别 |
TIP41CG 安森美 | 功能相似 | 2N5657G和TIP41CG的区别 |