2N5657G

2N5657G图片1
2N5657G图片2
2N5657G图片3
2N5657G图片4
2N5657G图片5
2N5657G图片6
2N5657G图片7
2N5657G图片8
2N5657G图片9
2N5657G图片10
2N5657G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N5657G  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 5 hFE 新

- 双极 BJT - 单 NPN 10MHz 通孔 TO-225AA


得捷:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126


立创商城:
NPN 350V 500mA


e络盟:
射频双极晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


安富利:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225 Box


Verical:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N5657G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 10 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk


2N5657G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC 250 V

额定电流 3.70 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30 @100mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 20 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

宽度 2.66 mm

封装 TO-225-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5657G
型号: 2N5657G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N5657G  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 5 hFE 新
替代型号2N5657G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5657G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BD682G

安森美

类似代替

2N5657G和BD682G的区别

TIP32CG

安森美

功能相似

2N5657G和TIP32CG的区别

TIP41CG

安森美

功能相似

2N5657G和TIP41CG的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台