2N4401TAR

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2N4401TAR概述

NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

This device is designed for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA.


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo


富昌:
NPN 40 V 600 mA 625 mW Through Hole General Purpose Amplifier - TO-92


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo


2N4401TAR中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 3.93 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N4401TAR
型号: 2N4401TAR
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号2N4401TAR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N4401TAR

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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2N4401TA

飞兆/仙童

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