









NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
This device is designed for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA.
欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
富昌:
NPN 40 V 600 mA 625 mW Through Hole General Purpose Amplifier - TO-92
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
频率 250 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 3.93 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N4401TAR Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N4401TA 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N4401TAR和2N4401TA的区别 |
2N4401RLRA 安森美 | 类似代替 | 2N4401TAR和2N4401RLRA的区别 |