ON SEMICONDUCTOR 2N5191G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 60 V 4 A 2MHz 40 W 通孔 TO-126
欧时:
BIP C77 NPN 4A 60V
立创商城:
2N5191G
得捷:
TRANS NPN 60V 4A TO126
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 4A 3-Pin TO-225AA Box
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
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# ON SEMICONDUCTOR 2N5191G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 60V 4A 3-Pin TO-225AA Box
频率 2 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 25 @1.5A, 2V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 2
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N5191G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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