2N5191G

2N5191G图片1
2N5191G图片2
2N5191G图片3
2N5191G图片4
2N5191G图片5
2N5191G图片6
2N5191G图片7
2N5191G图片8
2N5191G图片9
2N5191G图片10
2N5191G图片11
2N5191G图片12
2N5191G图片13
2N5191G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N5191G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 60 V 4 A 2MHz 40 W 通孔 TO-126


欧时:
BIP C77 NPN 4A 60V


立创商城:
2N5191G


得捷:
TRANS NPN 60V 4A TO126


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 4A 3-Pin TO-225AA Box


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N5191G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 60V 4A 3-Pin TO-225AA Box


2N5191G中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 25 @1.5A, 2V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 2

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5191G
型号: 2N5191G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N5191G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2 hFE
替代型号2N5191G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5191G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

2N5192

意法半导体

功能相似

2N5191G和2N5192的区别

2N5191

意法半导体

功能相似

2N5191G和2N5191的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台