FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5088BU 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 100 mA, 300 hFE
The is a 30V NPN Bipolar BJT Single Transistor, designed for low noise, high gain and general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50mA. This product is general usage and suitable for many different applications.
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- 35V Collector to base voltage VCBO
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- 4.5V Emitter to base voltage VEBO
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- 83.3°C/W Thermal resistance, junction to case
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- 200°C/W Thermal resistance, junction to ambient
频率 50 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
集电极击穿电压 35.0 V
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5088BU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5088_J61Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5088BU和2N5088_J61Z的区别 |
2N5088TA 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N5088BU和2N5088TA的区别 |
2N5088 安森美 | 功能相似 | 2N5088BU和2N5088的区别 |