2N5883G

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2N5883G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N5883G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 4 MHz, 200 W, -25 A, 4 hFE 新

- 双极 BJT - 单 PNP 4MHz 通孔 TO-204(TO-3)


得捷:
TRANS PNP 60V 25A TO204


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2N5883G


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25A 60V 200W PNP


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Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


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# ON SEMICONDUCTOR  2N5883G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 4 MHz, 200 W, -25 A, 4 hFE


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2N5883G中文资料参数规格
技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 25.0 A

针脚数 2

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 20

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 200 W

直流电流增益hFE 4

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5883G
型号: 2N5883G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N5883G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 4 MHz, 200 W, -25 A, 4 hFE 新
替代型号2N5883G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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