ON SEMICONDUCTOR 2N5883G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 4 MHz, 200 W, -25 A, 4 hFE 新
- 双极 BJT - 单 PNP 4MHz 通孔 TO-204(TO-3)
得捷:
TRANS PNP 60V 25A TO204
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2N5883G
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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25A 60V 200W PNP
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单晶体管 双极, PNP, -60 V, 4 MHz, 200 W, -25 A, 4 hFE
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Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
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Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
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# ON SEMICONDUCTOR 2N5883G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 4 MHz, 200 W, -25 A, 4 hFE
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 60V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
频率 4 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 25.0 A
针脚数 2
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 4
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N5883G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5883 安森美 | 类似代替 | 2N5883G和2N5883的区别 |
2N4905 美高森美 | 功能相似 | 2N5883G和2N4905的区别 |