











ON SEMICONDUCTOR 2N5192G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 10 hFE 新
- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 4 A 2MHz 40 W 通孔 TO-126
得捷:
TRANS NPN 80V 4A TO126
欧时:
BIP C77 NPN 4A 80V
立创商城:
2N5192G
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 10 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Allied Electronics:
NPN-SI; TRANSISTOR; NPN; 80; 80; 5; 4 ADC COLLECTOR; 1 ADC IB; 40W; 7 HFE MIN.
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin TO-225AA Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin TO-225AA Box
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225AA Box
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 2N5192G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2 hFE
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin TO-225AA Box
频率 2 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 3.12℃/W RθJC
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 20 @1.5A, 2V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 2
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-225-3
长度 7.8 mm
封装 TO-225-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5192G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5192 安森美 | 类似代替 | 2N5192G和2N5192的区别 |
NTE184 NTE Electronics | 功能相似 | 2N5192G和NTE184的区别 |