PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
通用 PNP ,超过 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
### ,On Semiconductor
的各种双极晶体管,包括以下类别:
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 2 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 3.12℃/W RθJC
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 20 @1.5A, 2V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-225-3
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-225-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2N5195G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5195 安森美 | 类似代替 | 2N5195G和2N5195的区别 |
NTE185 NTE Electronics | 功能相似 | 2N5195G和NTE185的区别 |