2SK209-GRTE85L,F

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2SK209-GRTE85L,F概述

N沟道,10V,0.014A,150mW

Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications

• High |Yfs|: |Yfs| = 15 mS typ. at VDS = 10 V, VGS = 0

• High breakdown voltage: VGDS = −50 V

• Low noise: NF = 1.0dB typ.

                  at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 kΩ

• High input impedance: IGSS = −1 nA max at VGS = −30 V

• Small package


欧时:
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R


得捷:
JFET N-CH 50V 14MA SC59


立创商城:
2SK209-GRTE85L,F


艾睿:
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R


安富利:
Trans JFET N-CH 6.5mA 3-Pin S-Mini T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin S-Mini T/R


TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 150mW; SC59; Igt:10mA


Verical:
Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin S-Mini T/R


Win Source:
JFET N-CH SOT23


2SK209-GRTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

频率 1 kHz

耗散功率 150 mW

测试电流 500 µA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SK209-GRTE85L,F
型号: 2SK209-GRTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:N沟道,10V,0.014A,150mW

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