2N5116

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2N5116概述

P沟道J- FET P-CHANNEL J-FET

This leaded device is available in high-reliability equivalents for high-reliability applications. also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications.


艾睿:
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag


AMEYA360:
JFET P-CH 30V TO-18


2N5116中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 175 Ω

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 27pF @15VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买2N5116
型号: 2N5116
描述:P沟道J- FET P-CHANNEL J-FET
替代型号2N5116
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