FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002V 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 280 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 V
The is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET offers low ON-resistance, low gate threshold voltage and low input capacitance.
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
立创商城:
2个N沟道 60V 280mA
欧时:
### 增强模式双 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563F T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563F T/R
富昌:
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-563F
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563F T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002V Dual MOSFET, Dual N Channel, 280 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 V
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563F T/R
DeviceMart:
MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F
通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 1.76 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-523-3
长度 1.7 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-523-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2N7002V Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002VA 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N7002V和2N7002VA的区别 |