2SK1058-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SK1058-E概述

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

N-Channel 160V 7A Ta 100W Tc Through Hole TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 160V 7A Automotive 3-Pin3+Tab TO-3P Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 160V 7A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube

2SK1058-E中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 7.00 A

耗散功率 100W Tc

输入电容 600 pF

漏源极电压Vds 160 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输入电容Ciss 600pF @10VVds

额定功率Max 100 W

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SK1058-E引脚图与封装图

在线购买2SK1058-E

型号： 2SK1058-E

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET