2N7002WT1G

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2N7002WT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N7002WT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷

N 通道功率 MOSFET,60V,


得捷:
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3


立创商城:
N沟道 60V 310mA Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N?Channel, SC?70


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002WT1G, 340 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R


Allied Electronics:
2N7002WT1G N-channel MOSFET Transistor; 0.34 A; 60 V; 3-Pin SC-70


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N7002WT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 340 mA, 60 V, 1.6 ohm, 10 V, 1 V


力源芯城:
小信号N沟道SOT-323封装场效应管


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323


2N7002WT1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 340 mA

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 24.5pF @20VVds

额定功率Max 280 mW

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, 便携式器材, Level S, Consumer Electronics, DC-DC Converter, Portable Devices, |Portable Devices, Consumer Electronics, , 电源管理, Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2N7002WT1G引脚图与封装图
2N7002WT1G引脚图
2N7002WT1G封装焊盘图
在线购买2N7002WT1G
型号: 2N7002WT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N7002WT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷
替代型号2N7002WT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N7002WT1G

ON Semiconductor 安森美

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当前型号

2N7002WT3G

安森美

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