2N5114

2N5114图片1
2N5114概述

P沟道J- FET P-CHANNEL J-FET

This leaded device is available in high-reliability equivalents for high-reliability applications. also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications.


艾睿:
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag


Chip1Stop:
Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18


2N5114中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 75 Ω

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 25pF @15VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买2N5114
型号: 2N5114
描述:P沟道J- FET P-CHANNEL J-FET
替代型号2N5114
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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