2N7002K

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2N7002K概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002K  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V

The is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor features low on resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance and fast switching speed.

.
Low input/output leakage
.
±20V Gate-source voltage

欧时:
### 增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002K  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N沟道 增强型 场效应晶体管 SOT-23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Online Components:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23


2N7002K中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

2N7002K引脚图与封装图
2N7002K引脚图
2N7002K封装图
在线购买2N7002K
型号: 2N7002K
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002K  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号2N7002K
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N7002K

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MMBF170

飞兆/仙童

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