FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
The is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor features low on resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance and fast switching speed.
欧时:
### 增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N沟道 增强型 场效应晶体管 SOT-23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Online Components:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N7002K Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBF170 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N7002K和MMBF170的区别 |
2N7002KT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002K和2N7002KT1G的区别 |
DMN601K-7 美台 | 功能相似 | 2N7002K和DMN601K-7的区别 |