ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
是一款N沟道小信号MOSFET, 采用Trench技术, 具有低漏极-源极电压. 适用于低压侧负载开关, 电平转换电路.
欧时:
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
立创商城:
N 沟道小信号 MOSFET 60V,310mA,2.5 Ω
贸泽:
MOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 310mA SOT-23
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
2N7002ET1G N-channel MOSFET Transistor, 0.26 A, 60 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
N-Channel 60 V 2.5 Ω 300 mW 0.81 nC Surface Mount Small Signal Mosfet - SOT-23
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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# ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G MOSFET Transistor, N Channel, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
力源芯城:
小信号N沟道SOT-23-3封装场效应管
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
无卤素状态 Halogen Free
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.86 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 420 mW
阈值电压 1 V
输入电容 26.7 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 310 mA
上升时间 1.2 ns
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 26.7pF @25VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 3.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, ??, 工业, Industrial, Consumer Electronics, DC-DC Converter, Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc., Level Shift Circuits, Low Side Load Switch, Consumer Electronics, 消费电子产品, ??????
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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