2N7002LT1G

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2N7002LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

N 通道功率 MOSFET,60V,


得捷:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3


立创商城:
N沟道 60V 115mA SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5Ohm


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002LT1G, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
MOSFET 60V 115mA N-Channel


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
MOSFET; N-Ch; VDSS 60VDC; RDSON 7.5 Ohms; ID +/-115mA; SOT-23 TO-236; PD 225mW; -55


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R


力源芯城:
小信号N沟道SOT23封装场效应管


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23


2N7002LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 115 mA

额定功率 0.225 W

无卤素状态 Halogen Free

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 7.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 115 mA

正向电压Max 1.5 V

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2N7002LT1G引脚图与封装图
2N7002LT1G引脚图
2N7002LT1G封装图
2N7002LT1G封装焊盘图
在线购买2N7002LT1G
型号: 2N7002LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号2N7002LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N7002LT1G

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