ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
N 通道功率 MOSFET,60V,
得捷:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
立创商城:
N沟道 60V 115mA SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5Ohm
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002LT1G, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
MOSFET 60V 115mA N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
MOSFET; N-Ch; VDSS 60VDC; RDSON 7.5 Ohms; ID +/-115mA; SOT-23 TO-236; PD 225mW; -55
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
力源芯城:
小信号N沟道SOT23封装场效应管
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
额定电压DC 60.0 V
额定电流 115 mA
额定功率 0.225 W
无卤素状态 Halogen Free
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 7.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
正向电压Max 1.5 V
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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