MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N3906-AP 双极性晶体管, PNP, 40VDC, TO-92
Compared to other transistors, the PNP general purpose bipolar junction transistor, developed by , can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 600 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
频率 250 MHz
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 600 mW
上升时间 35 ns
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 600 mW
直流电流增益hFE 30
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N3906-AP Micro Commercial Components 美微科 | 当前型号 | 当前型号 |
2N3906A 美微科 | 类似代替 | 2N3906-AP和2N3906A的区别 |
2N3906TA 飞兆/仙童 | 功能相似 | 2N3906-AP和2N3906TA的区别 |
2N3906RLRAG 安森美 | 功能相似 | 2N3906-AP和2N3906RLRAG的区别 |