2N5114-E3

2N5114-E3图片1
2N5114-E3图片2
2N5114-E3中文资料参数规格
技术参数

额定电流 -50.0 mA

击穿电压 45.0 V

漏源极电阻 75.0 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 500 mW

栅源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids -90.0 mA

击穿电压 45 V

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-206

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买2N5114-E3
型号: 2N5114-E3
描述:VISHAY 2N5114-E3 JFET Transistor, Junction Field Effect, 45V, 10V, TO-206AA, JFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台