2SK932-23-TB-E

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2SK932-23-TB-E概述

N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 50MA SMCP


欧时:
ON Semiconductor 2SK932-23-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: 10 → 17mA, 3引脚 CP封装


立创商城:
N 沟道 JFET,15V,5 至 24mA,50mS,CP


贸泽:
JFET NCH J-FET


e络盟:
晶体管, JFET, -15 V, 10 mA, 17 mA, -600 mV, SOT-23, JFET


艾睿:
If your circuit requires a high level of input resistance, this 2SK932-23-TB-E JFET transistor from ON Semiconductor can provide you a solution. Its maximum power dissipation is 200 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


Allied Electronics:
2SK932-23-TB-E N-channel JFET Transistor; 15 V; Idss 10 - 17mA; 3-Pin CP


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin CP T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin SC-59 T/R


罗切斯特:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin CP T/R


Win Source:
JFET N-CH 50MA 200MW CP


2SK932-23-TB-E中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 15 V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 AM tuner RF amplifier, low-noise amplifier

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SK932-23-TB-E
型号: 2SK932-23-TB-E
描述:N 通道 JFET,ON Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
替代型号2SK932-23-TB-E
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