2N4391-E3

2N4391-E3图片1
2N4391-E3中文资料参数规格
技术参数

额定电流 50.0 mA

额定功率 1.8 W

击穿电压 -55.0 V

漏源极电阻 30.0 Ω

极性 N-Channel

栅源击穿电压 -40.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 mA

工作温度Max 200 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

其他

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: 2N4391-E3
描述:VISHAY 2N4391-E3 JFET Transistor, Junction Field Effect, -55V, 50mA, 150mA, -10V, TO-206AA, RF JFET

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