N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
N 通道 JFET,
### JFET
一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
得捷:
JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
立创商城:
N 沟道 JFET,15V,5 至 24mA,50mS,CP
欧时:
ON Semiconductor 2SK932-22-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: 7.3 → 12mA, 3引脚 CP封装
e络盟:
晶体管, JFET, -15 V, 7.3 mA, 24 mA, -1.4 V, SC-59, JFET
艾睿:
The 2SK932-22-TB-E JFET transistor, developed by ON Semiconductor, can give you a high level of input resistance, perfect for controlling input voltage. Its maximum power dissipation is 200 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Allied Electronics:
2SK932-22-TB-E N-channel JFET Transistor; 15 V; Idss 7.3 - 12mA; 3-Pin CP
安富利:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin CP T/R
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin CP T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin SC-59 T/R
Win Source:
JFET N-CH 50MA 200MW CP
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 15 V
漏源击穿电压 15 V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 AM tuner RF amplifier, low-noise amplifier
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SK932-22-TB-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |