FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5551TA 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 625 mW, 600 mA, 30 hFE
The is a NPN Bipolar Transistor designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers.
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
富昌:
2N5551 系列 160 V CE 击穿 0.6 A NPN 通用 放大器 - TO-92
Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5551TA Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 100 MHz, 625 mW, 600 mA, 30
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
频率 300 MHz
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2N5551TA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5551CTA 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5551TA和2N5551CTA的区别 |
2N5551CYTA 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5551TA和2N5551CYTA的区别 |
2N5551RL1G 安森美 | 类似代替 | 2N5551TA和2N5551RL1G的区别 |