2SK932-24-TB-E

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2SK932-24-TB-E概述

N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


立创商城:
N 沟道 JFET,15V,5 至 24mA,50mS,CP


得捷:
JFET N-CH 50MA SMCP


欧时:
ON Semiconductor 2SK932-24-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: 14.5 → 24mA, 3引脚 CP封装


贸泽:
JFET NCH J-FET


e络盟:
晶体管, JFET, -15 V, 7.3 mA, 24 mA, -1.4 V, SC-59, JFET


艾睿:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin SC-59 T/R


Allied Electronics:
2SK932-24-TB-E N-channel JFET Transistor, 15 V, Idss 14.5 to 24mA, 3-Pin CP


安富利:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin CP T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin CP T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin SC-59 T/R


Win Source:
JFET N-CH 50MA 200MW CP


2SK932-24-TB-E中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 15 V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 AM tuner RF amplifier, low-noise amplifier

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SK932-24-TB-E
型号: 2SK932-24-TB-E
描述:N 通道 JFET,ON Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

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