2SK3666-2-TB-E

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2SK3666-2-TB-E概述

N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 10MA 200MW CP


欧时:
### N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


e络盟:
晶体管, JFET, -30 V, 600 µA, 1.5 mA, -950 mV, SOT-23, JFET


艾睿:
If your circuit requires a high level of input resistance, this 2SK3666-2-TB-E JFET transistor from ON Semiconductor can provide you a solution. Its maximum power dissipation is 200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
2SK3666-2-TB-E N-channel JFET Transistor, 30 V, Idss 0.6 to 1.5mA, 3-Pin SOT-23


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin CP T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 30V 10mA Si 3-Pin SC-59 T/R


罗切斯特:
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin CP T/R


2SK3666-2-TB-E中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 200 Ω

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 4pF @10VVds

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 low-frequency,General-purpose Amplifier and Impedance converter

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SK3666-2-TB-E
型号: 2SK3666-2-TB-E
描述:N 通道 JFET,ON Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

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