P沟道通用放大器 P-Channel General Purpose Amplifier
P-Channel General Purpose Amplifier
This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from Process 89.
艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin TO-92 Bulk
TME:
Transistor: unipolar, P-FET; -40V; 350mW; TO92
额定电压DC 10.0 V
额定电流 10 mA
额定功率 350 mW
击穿电压 40.0 V
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 mA
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 135 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5461 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5461_L99Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5461和2N5461_L99Z的区别 |
2N5461_D26Z 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N5461和2N5461_D26Z的区别 |
2N5460-E3 Vishay Siliconix | 类似代替 | 2N5461和2N5460-E3的区别 |