2N3820参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N3820中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 15.0 mA

击穿电压 20.0 V

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

输入电容 32.0 pF

漏源极电压Vds -10.0 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 7.65 mA

击穿电压 20 V

输入电容Ciss 32pF @10VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N3820

型号： 2N3820

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N3820.. 晶体管, JFET, JFET, 20 V, -300 µA, -15 mA, 8 V, TO-92, JFET

替代型号2N3820