2SK3666-4-TB-E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2SK3666-4-TB-E概述

JFET N-CH 30V 10mA 200mW CP

JFET N-Channel 30V 10mA 200mW Surface Mount 3-CP

得捷:
JFET N-CH 30V 10MA SMCP

贸泽:
JFET NCH J-FET

艾睿:
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin Case CP T/R

2SK3666-4-TB-E中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 200 Ω

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 4pF @10VVds

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK3666-4-TB-E

型号： 2SK3666-4-TB-E

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：JFET N-CH 30V 10mA 200mW CP