2N4416A

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2N4416A概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, TO-72, 3Pin

JFET N-Channel 35V 300mW Through Hole TO-72


得捷:
JFET N-CH 35V TO72


贸泽:
JFET N-Chan JFET


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 35V Si 4-Pin TO-72 Box


Win Source:
JFET N-CH 35V 0.3W TO-72


2N4416A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 35 V

漏源击穿电压 35 V

栅源击穿电压 35 V

连续漏极电流Ids 15.0 mA

击穿电压 35 V

输入电容Ciss 4pF @15VVds

额定功率Max 300 mW

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-72

外形尺寸

封装 TO-72

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N4416A
型号: 2N4416A
制造商: Central Semiconductor
描述:RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, TO-72, 3Pin
替代型号2N4416A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N4416A

Central Semiconductor

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