JFET放大器P沟道 - 耗尽 JFET Amplifier P−Channel − Depletion
JFET Amplifier
P−Channel − Depletion
Features
•Pb−Free Packages are Available- .
得捷:
JFET P-CH 40V TO92
贸泽:
JFET 40V 10mA
艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin TO-92 Box
Chip1Stop:
Trans JFET P-CH 3-Pin TO-92 Box
额定电压DC -40.0 V
额定电流 100 mA
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 7.00 pF
漏源极电压Vds 40.0 V
栅源击穿电压 40.0 V
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 135 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -65℃ ~ 135℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5462G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5462 安森美 | 类似代替 | 2N5462G和2N5462的区别 |
2N5462-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | 2N5462G和2N5462-E3的区别 |