2N5639G概述
JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N-Channel - Depletion
JFET N-Channel 35V 310mW Through Hole TO-92-3
得捷:
JFET N-CH 35V TO92
艾睿:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-92 Box
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-92 Box
罗切斯特:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-92 Box
2N5639G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 10.0 mA
漏源极电阻 60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 mW
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 35.0 V
击穿电压 35 V
输入电容Ciss 10pF @12VVgs
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 135 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买2N5639G
型号： 2N5639G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N-Channel - Depletion