2SK772E-AC

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2SK772E-AC中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 40.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 9pF @10VVds

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SIP-3

外形尺寸

封装 SIP-3

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK772E-AC
型号: 2SK772E-AC
制造商: Sanyo Semiconductor 三洋
描述:MOSFET N-CH 40V 20mA 3SPA

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