2N3906TA

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2N3906TA概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N3906TA  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 625 mW, 30 hFE

The is a PNP Bipolar Transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 to 100mA.

.
-55 to 150°C Operating junction temperature range

得捷:
TRANS PNP 40V 0.2A TO92-3


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo


Jameco:
Transistor General Purpose BJT PNP 40 Volt 0.2 Amp 3-Pin TO-92 Ammo


富昌:
2N3906 系列 40 V CE 击穿 0.2 A PNP 通用 放大器 - TO-92


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 40V; 200mA; 350mW; TO92


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N3906TA  Small Signal Diode, PNP, -40 V, 250 MHz, 625 mW, 30


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo


Win Source:
TRANS PNP 40V 0.2A TO-92


2N3906TA中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 mA

额定功率 350 mW

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N3906TA
型号: 2N3906TA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N3906TA  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 625 mW, 30 hFE
替代型号2N3906TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N3906TA

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

2N3906TAR

飞兆/仙童

完全替代

2N3906TA和2N3906TAR的区别

2N3906BU

飞兆/仙童

类似代替

2N3906TA和2N3906BU的区别

2N3906TFR

飞兆/仙童

类似代替

2N3906TA和2N3906TFR的区别

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