2N5457G

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2N5457G概述

JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion

JFET N 通道 25 V 310 mW 通孔 TO-92(TO-226)


得捷:
JFET N-CH 25V TO92


艾睿:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-92 Box


2N5457G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 10.0 mA

漏源极电阻 2.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 310 mW

漏源极电压Vds 25 V

栅源击穿电压 25.0 V

击穿电压 25 V

输入电容Ciss 7pF @15VVds

额定功率Max 310 mW

工作温度Max 135 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 135℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N5457G
型号: 2N5457G
描述:JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion
替代型号2N5457G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5457G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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2N5457

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