2N5550TFR

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2N5550TFR中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 140 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.93 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5550TFR
型号: 2N5550TFR
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号2N5550TFR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5550TFR

Fairchild 飞兆/仙童

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2N5550TFR和2N5550TA的区别

2N5550BU

飞兆/仙童

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2N5550TFR和2N5550BU的区别

2N5550TF

飞兆/仙童

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2N5550TFR和2N5550TF的区别

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