双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Radio-Frequency Bipolar Transistor
RF NPN 30V 20mA 550MHz 100mW 表面贴装型 SSM
得捷:
RF TRANS NPN 30V 550MHZ SSM
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Radio-Frequency Bipolar Transistor
艾睿:
Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin SSM T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin SSM T/R
Win Source:
TRANS RF NPN 30V 550MHZ SSM
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
增益 17dB ~ 23dB
最小电流放大倍数hFE 70 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
封装 SOT-416-3
材质 Silicon
工作温度 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99