2SC5087-OTE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC5087-OTE85L,F概述

Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 4Pin3+Tab SMQ T/R

RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 150mW Surface Mount SMQ

得捷:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 4-Pin3+Tab SMQ T/R

Win Source:
TRANS RF NPN 12V 1MHZ SMQ

2SC5087-OTE85L,F中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

最小电流放大倍数hFE 80 @20mA, 10V

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-61AA

外形尺寸

封装 SC-61AA

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC5087-OTE85L,F

型号： 2SC5087-OTE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 4Pin3+Tab SMQ T/R