高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
High Voltage Transistor
• Collector-Emitter Voltage: VCEO=350V
• Collector Dissipation: PC max=625mW
• Complement to 2N6520
• Suffix “-C” means Center Collector 1. Emitter 2. Collector 3. Base
得捷:
TRANS NPN 400V 0.5A TO92-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
频率 200 MHz
额定电压DC 350 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.58 mm
宽度 3.93 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6517CTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6517TA 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N6517CTA和2N6517TA的区别 |
2N6517RLRAG 安森美 | 类似代替 | 2N6517CTA和2N6517RLRAG的区别 |