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2N5109中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 15V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-39-3

外形尺寸

宽度 9.4 mm

封装 TO-39-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N5109

型号： 2N5109

制造商： Central Semiconductor

描述：2N 系列 20 V 1200 MHz NPN 通孔外延平面 RF 晶体管 - TO-39

替代型号2N5109

型号/品牌

代替类型

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