2N4123-AP参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N4123-AP概述

TO-92 NPN 30V 0.2A

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92

得捷:
TRANS NPN 30V 0.2A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo

富昌:
2N4123 Series 30 V 0.2 A NPN Silicon General Purpose Transistor - TO-92-3

2N4123-AP中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.2A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N4123-AP

型号： 2N4123-AP

描述：TO-92 NPN 30V 0.2A

替代型号2N4123-AP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2N4123-AP Micro Commercial Components 美微科	当前型号	当前型号
2N4123TAR 飞兆/仙童	类似代替	2N4123-AP和2N4123TAR的区别
2N4123TFR 飞兆/仙童	类似代替	2N4123-AP和2N4123TFR的区别
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