射频RF双极晶体管 NPN Silicon 20GHz Pout 1dB 26dBm
RF Transistor NPN 5V 500mA 20GHz 735mW Surface Mount
得捷: RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F
贸泽: 射频RF双极晶体管 NPN Silicon 20GHz Pout 1dB 26dBm
艾睿: Trans RF BJT NPN 5V 0.5A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold
耗散功率 735 mW
击穿电压集电极-发射极 5 V
增益 12 dB
最小电流放大倍数hFE 40 @100mA, 3V
额定功率Max 735 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 735 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
高度 0.59 mm
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册