击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 10 @50mA, 5V
额定功率Max 5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 5000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
2N3866
Central Semiconductor
当前型号
