2SC5013-A参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC5013-A概述

Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 150mW

RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 150mW Surface Mount

得捷:
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343

艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 150mW

2SC5013-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 9.5 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 6V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC5013-A

型号： 2SC5013-A

制造商： California Eastern Laboratories

描述：Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 150mW