ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
射频双极,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP
欧时:
### 射频双极晶体管,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin CP T/R
Allied Electronics:
ON Semi 2SC5227A-4-TB-E NPN RF Bipolar Transistor, 0.07 A, 10 V, 3-Pin CP
安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin CP T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
罗切斯特:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin CP T/R
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 200 mW
增益频宽积 7 GHz
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 12 dB
最小电流放大倍数hFE 90 @20mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 270
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SC5227A-4-TB-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |