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2N2857图片1

2N2857中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 30 @3mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-72

外形尺寸

封装 TO-72

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N2857

型号： 2N2857

制造商： Central Semiconductor

描述：Trans GP BJT NPN 15V 0.04A 4Pin TO-72 Box

替代型号2N2857

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2N2857

Central Semiconductor

当前型号

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MMBT918

NTE Electronics

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