Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 200mW
RF Transistor NPN 6V 100mA 12GHz 200mW Surface Mount
得捷: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143
贸泽: RF Bipolar Transistors NPN Silicon 12GHz NF 1.5dB
艾睿: Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 200mW
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 6 V
增益 10 dB
最小电流放大倍数hFE 75 @30mA, 3V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
封装 TO-253-4
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册