2SC5509-A参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC5509-A概述

Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW

RF Transistor NPN 3.3V 100mA 15GHz 190mW Surface Mount

得捷:
RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F

艾睿:
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW

2SC5509-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 190 mW

击穿电压集电极-发射极 3.3 V

增益 14 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 2V

额定功率Max 190 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 190 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC5509-A

型号： 2SC5509-A

制造商： California Eastern Laboratories

描述：Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW